设备型号：

HAN'S DSI-LT207

主要特点：

1、 兼容6寸和7寸子母环，可测试2寸及4寸wafer

2、 测试可兼容2寸或4寸的未切割和已切割wafer

3、配置CCD影像，自动扫描定位，查看检测针痕更方便

4、 4寸积分球、CCD和探针座可调，确保测试晶粒在收光口中心位置，测试更精准

5、 积分球升降使用电机控制，升降高度调节更方便

6、 测试条件表格化，测试项目先后测试顺序设定更简单明了

7、自主开发测试软件，后期升级有保证

主要参数：

● 检测速度：135ms/chip （打ESD）

● 适用晶粒尺寸：6mil×6mil~ 80mil×80mil

● X轴（行程：150mm、最大速度100mm/sec、定位精度：±5μm、分辨率：0.1μm）

● Y轴（行程：420mm、最大速度100mm/sec、定位精度：±5μm、分辨率：0.1μm）

● Φ轴（行程：45°、定位精度：0.05°、分辨率：2μm）

● Z1 Z2轴（行程：10mm、最大速度30mm/sec、定位精度：±10μm、分辨率：2μm）

● 积分球（直径：Φ100mm、入光口径：Φ30mm、收光高度：6mm）

实际效果：